近日疫情在國外一些國家爆發，荷蘭這一國家的防護物質不夠想向中國訂購，網絡上就出現了一片呼聲建議荷蘭用光刻機來換。這是為什么呢？光刻機到底有什么魔力是用來干什么的呢？和成都光刻機廠家一起往下了解一下吧。

一、光刻機是干嘛的？

光刻機就是個“投影儀”，把我們想要的影子投影到幕布上。芯片那么精細，是怎么生產出來的呢？用刀刻？用水沖？都不行，因為芯片太精細了，動輒幾十nm的線條，日常沒有什么材料能做成這么精細的刻刀。所以我們就想了一個辦法，用光線來刻，這也就是光刻機。怎么個用光刻法呢？我們都用過膠卷相機吧，膠片平日里是黑色的，不能見光的，一旦見光就會變白，我們也找了一種一見光就“易溶解”的特殊膠片。當我們想要在芯片上刻一個圓圈的時候，我們就在芯片上涂上這種特殊膠片，拿一個圓圈光照上去，再經過一些列后續處理，我們在這個芯片上就做出了一個圓圈圖形了對吧。光刻機就是用這種膠片來刻出圖形的。剩下的問題是，我們怎么把一種我們想要的特定圖形打到膠片上呢？我們見過老式投影儀吧，原理跟皮影戲是一樣的，做一個“剪紙”，拿燈光一照，這個剪紙就映在幕布上了。我們也想辦法在光刻機里做了這樣的“剪紙”，拿光源一照，這個剪紙就映在膠片上了。以上就是光刻機的通俗理解。

二、光刻機原理 光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。

常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System. 一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。 Photolithography（光刻） 意思是用光來制作一個圖形。 在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。 下面，簡單介紹一下圖中各設備的作用。 1、測量臺、曝光臺：承載硅片的工作臺，也就是本次所說的雙工作臺。 2、光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。 3、能量控制器：控制*終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。 4、光束形狀設置：設置光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。 5、遮光器：在不需要曝光的時候，阻止光束照射到硅片。

6、能量探測器：檢測光束*終入射能量是否符合曝光要求，并反饋給能量控制器進行調整。 7、掩模版：一塊在內部刻著線路設計圖的玻璃板，貴的要數十萬美元。 8、掩膜臺：承載掩模版運動的設備，運動控制精度是nm級的。 9、物鏡：物鏡由20多塊鏡片組成，主要作用是把掩膜版上的電路圖按比例縮小，再被激光映射的硅片上，并且物鏡還要補償各種光學誤差。技術難度就在于物鏡的設計難度大，精度的要求高。 10、硅片：用硅晶制成的圓片。硅片有多種尺寸，尺寸越大，產率越高。題外話，由于硅片是圓的，所以需要在硅片上剪一個缺口來確認硅片的坐標系，根據缺口的形狀不同分為兩種，分別叫flat、notch。 11、內部封閉框架、減振器：將工作臺與外部環境隔離，保持水平，減少外界振動干擾，并維持穩定的溫度、壓力。

三、認清光刻機性能指標

1、光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。 2、分辨率是對光刻工藝加工可以達到的*細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。 3、對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。 4、曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。 5、曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子激光器等。

四、光刻機作用

光刻機是微電子整備的空頭，其具有技術難度*高、單臺成本*大、決定集成密度等特點。

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